激光扫描缺陷图谱仪

型号 : LSD4

激光扫描缺陷影像仪,是激光束诱导电流测试(LBIC)的升级版,利用波长能量大于半导体能隙大的激光束,照射在半导体后产生的电子-空穴对,通过快速的扫描样品表面,获得影像分布,可以得到内部电流的变化来了解分析各种的缺陷分布,帮助分析样品制备质量以及帮助工艺改进。


项目 规格
激发波长 a. 405±1 nm(最高可扩充至4个雷射器)
b. 多波长切换设计
c. 可软体控制输出波长与功率
镭射光点 a. TEM00光斑
b. 光斑可达<40 um
扫描范围 a. 扫描面积: 16 cm  16 cm
b. 可客制超过30 cm x 30 cm之扫描范围
扫描解析度 a. 扫描解析度 40 um
b. 可由软体设定扫描解析度
讯号量测模组 a. 16 bit A/D解析能力
b. S/N可达>1000 以上
c. 超低杂讯放大器模组
量测时间 a. <1 mins (For 20 mm x 20 mm with 30 um resolution)
b. <10 mins (For 300 mm x 300 mm with 30 um resolution)
尺寸 60 cm x 60 cm x 100 cm
测量分析软体 a. 激发波长切换
b. 雷射功率调整
c. LBIC 3D 图示
d. 2D剖面分析(电极深宽度比)
e. 光电流回应分布分析(搭配长波长雷射器)
f. 资料保存与输出功能
电脑系统 a. x86相容计算器包含荧幕键盘与滑鼠
b. 微软作业系统
选购项目1:白光脉冲光纤雷射器 a. 波长范围:450~2400 nm
b. 可见光(450-850 nm)输出功率:>25 mW 
c. 全波段输出功率:>110 mW
d. 脉冲时宽:<2 us
e. 采用单模光纤输出
f. 光斑大小:1 mm @ 530 nm;2 mm @ 1100 nm
选购项目2:连续光雷射 a. 可添加 375 nm/ 488 nm/ 532 nm/ 635 nm/ 650 nm/ 785 nm
b. 最小功率:100 mW
c. TEM00输出
d. 功率输出稳定度:<2 %
选购项目3:外加偏压功能 a. 可施加偏压(0~5 V)(可扩充更大电压范围)
b. 全软体控制

 可扫描光电流再样品表面的分布图像

 可扫描各光电压在样品表面的分布图像

 可扫描开路电压与短路电流分布

 可分析表面脏污。

 可分析短路区域分布

 可辨识分析隐裂区域。

 可分析少数载子扩散长度分布 (选配)

 PV Response Mapping (选配扩充白光激光器)


一、晶硅太阳能电池应用

▲图一、 2 cm x 2 cm晶硅电池扫描图谱

▲图二、6-inch 单晶太阳能电池 光电流响应分布图

▲图三、6-inch 多晶太阳能电池 光电流响应分布图


二、OPV有机太阳能电池与PVSK钙钛矿太阳能电池应用
▲图四、OPV有机太阳能电池 光响应电流分布图


三、组件均匀度分析
▲图五、Non-uniformity analysis不均匀度分析 (分辨率为50 um)

▲图六、 Busbar/Grid深宽比检测(剖面分析)
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